HUF75639S3

Imaginile sunt doar pentru referință
Număr parc
HUF75639S3
Producător
onsemi / Fairchild
Categorii
MOSFET
RoHS
Fișa cu date
Descriere
MOSFET TO-262

Specificații

Producător
onsemi / Fairchild
Categorii
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
56 A
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-262-3
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
200 W
Qg - Gate Charge
130 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
25 mOhms
Technology
SI
Tradename
UltraFET
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V

Ultimele recenzii

it is safe and sound all, thank you seller!

Thank You all fine, packed very well

The goods are OK, thank you dealers.

Looks good

I received the product right, thank you very much 2018/12/03 ★★★★★

Ați putea dori, de asemenea

Persoanele care v-au cumpărat apoi HUF75639S3

Cuvinte cheie similare pentru HUF7

  • HUF75639S3 Integrat
  • HUF75639S3 RoHS
  • HUF75639S3 Fișa tehnică PDF
  • HUF75639S3 Fișa cu date
  • HUF75639S3 Parte
  • HUF75639S3 A cumpara
  • HUF75639S3 Distribuitor
  • HUF75639S3 PDF
  • HUF75639S3 component
  • HUF75639S3 circuite integrate
  • HUF75639S3 Descărcați PDF
  • HUF75639S3 Descărcați foaie de date
  • HUF75639S3 Livra
  • HUF75639S3 Supplier
  • HUF75639S3 Preț
  • HUF75639S3 Fișa cu date
  • HUF75639S3 Imagine
  • HUF75639S3 Imagine
  • HUF75639S3 Inventar
  • HUF75639S3 Stoc
  • HUF75639S3 Original
  • HUF75639S3 Cele mai ieftine
  • HUF75639S3 Excelent
  • HUF75639S3 Fara plumb
  • HUF75639S3 Specificație
  • HUF75639S3 Oferte calificate
  • HUF75639S3 Prețul pauzelor
  • HUF75639S3 Date tehnice